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HSU20N15	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	HUASHUO 华朔半导体	HUASHUO
HSU20N15A	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	HUASHUO 华朔半导体	HUASHUO
LMAK20N15	文件：895.89 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：895.89 Kbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
LMFB20N15	文件：1.7443 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.7443 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
MTH20N15	文件：315.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.12Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：315.77 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Device：
Single
Vds：
150
Vgs(+)：
±20
ID：
20
Rds(on)/m Ohm max_10V：
92
Rds(on)/m Ohm max_2.5V：
--------
Rds(on)/m Ohm max_1.8V：
--------
Vgs(th)/typ：
2.5
Ciss/pF：
1047
Coss/pF：
101
Crss/pF：
59
Qg/nC：
24.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HSU20N15供应商更新时间2025-11-26 10:00:00

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