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HSH190N03

MOSFET

HUASHUO

华朔半导体

RLW190N03

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:993.29 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

HRLFS190N03K

100 Avalanche Tested

文件:245.21 Kbytes 页数:7 Pages

SEMIHOW

HSI-6664RH-Q

CDIP

Altera

阿尔特

上传:深圳市华来深电子有限公司

HSJ1169-019710

SMD/DIP

技术参数

  • Type:

    Single-N

  • Process:

    Trench

  • Package:

    TO-263

  • VDS( V ):

    30

  • VGS( V ):

    ±20

  • ID( A ):

    190

  • VGS(TH)( V ):

    2.5

  • RDS(mΩ)@VGS(10V Max):

    2.4

  • RDS(mΩ)@VGS(4.5V Max):

    4.2

  • Qg( nC ):

    94

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
HUASHUO(华朔)
2447
TO-263
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更多HSH190N03供应商 更新时间2025-11-25 15:01:00