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HSH047P06	文件：311.98 Kbytes Page：2 Pages	Trenched P-Channel MOSFET FEATURES ·DrainCurrent-ID=-150A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.7mΩ(Max)@VGS=-10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·PowerFactorCorrection(PFC)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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HSH047P06

文件：311.98 Kbytes

Page：2 Pages

Trenched P-Channel MOSFET

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-150A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.7mΩ(Max)@VGS=-10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·PowerFactorCorrection(PFC)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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