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HSH047P06	文件：311.98 Kbytes Page：2 Pages	Trenched P-Channel MOSFET FEATURES ·Drain Current -ID= -150A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.7mΩ(Max)@VGS= -10V APPLICATIONS ·Switch Mode Power Supply (SMPS) ·Uninterruptible Power Supply (UPS) ·Power Factor Correction (PFC) 文件：311.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
HSH047P06	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	HUASHUO 华朔半导体	HUASHUO
HSI-6664RH-Q	文件：0 bytes Page：0 Pages	ALTERA CDIP	Altera 阿尔特上传：深圳市华来深电子有限公司	Altera
HSJ1169-019710	文件：0 bytes Page：0 Pages	HOSIDEN SMD/DIP	HOSIDEN 上传：深圳市芯峰微电子科技有限公司	HOSIDEN
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技术参数

Type：
Single-P
Process：
Trench
Package：
TO-263
VDS( V )：
-60
VGS( V )：
±20
ID( A )：
-150
VGS(TH)( V )：
-2.5
RDS(mΩ)@VGS(10V Max)：
4.7
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Max)：
6.2
Qg( nC )：
280

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更多HSH047P06供应商更新时间2025-10-10 11:06:00

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