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HSDL-4260	文件：128.88 Kbytes Page：4 Pages	High-Power T-1쩐 (5mm) AlGaAs Infrared (875nm) Lamp	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
HSDL-4260	文件：138.96 Kbytes Page：4 Pages	High-Power T-1쩐 (5mm) AlGaAs Infrared (875nm) Lamp	LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司	LITEON
HSDL-4260	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：径向；包装：散装类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL	Lite-On Inc. Lite-On Inc.	Lite-On Inc.
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IPS4260LM	文件：928.49 Kbytes Page：7 Pages	IndustrialdigitaloutputexpansionboardbasedonIPS4260LMforSTM32Nucleo Features •BasedontheIPS4260LMquadlow-sideswitch,whichfeatures: –Operatingrange8to50V –HighSpeedoperation(trise,tfall	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IPS4260LTR	文件：834.75 Kbytes Page：29 Pages	Quadlow-sideintelligentpowerswitch Description TheIPS4260Lisamonolithichighspeed(FSWupto250kHz)device,which candrivefourindependentcapacitive,resistiveorinductiveloadswithoneside connectedtosupplyvoltage.Thechannelscanbeparallelizedtoreducepower dissipation. WhenconnectedtoVccrail,fouri	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRHM4260	文件：265.68 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(T0-254AA) RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(T0-254AA) InternationalRectifier’sRAD-HardTMHEXFET®technologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.Thesedeviceshavebeenc	IRF International Rectifier	IRF
IRHNB4260	文件：117.38 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACEMOUNT(SMD-3)	IRF International Rectifier	IRF
ISL4260E	文件：341.11 Kbytes Page：11 Pages	QFNPackaged,짹15kVESDProtected,3Vto5.5V,150nA,250kbps,RS-232Transmitters/ReceiverswithSeparateLogicSupply	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL4260E	文件：9.95425 Mbytes Page：44 Pages	Providinghigh-performancesolutionsforeverylinkinthesignalchain	Intersil Intersil Corporation	Intersil

产品属性

产品编号：
HSDL-4260
制造商：
Lite-On Inc.
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
散装
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
100mA
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
150mW/sr @ 100mA
波长：
875nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.4V
视角：
15°
方向：
顶视图
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
描述：
EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

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