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HSD88	文件：143.49 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Schottky Barrier Diode for Detector, Mixer 文件：143.49 Kbytes 页数：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HSD880	文件：34.99 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HSD880 is designed for low frequency power amplifier applications. Features • High DC Current Gain • High Power Dissipation: PC=30W at TC=25°C 文件：34.99 Kbytes 页数：3 Pages	HSMC 华昕	HSMC
HSD882	文件：40.62 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HSD882 is designed for using in output stage of 1w audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay driver. Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C) • Maximum Temperatures Storage Temperature................................................................... 文件：40.62 Kbytes 页数：4 Pages	HSMC 华昕	HSMC
HSD882S	文件：42.33 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HSD882S is suited for the output stage of 0.75W audio, voltage regulator, and relay driver. Absolute Maximum Ratings • Maximum Temperatures Storage Temperature............................................................................. -55 ~ +150 °C Junction 文件：42.33 Kbytes 页数：4 Pages	HSMC 华昕	HSMC
HSD882S_06	文件：59.52 Kbytes Page：5 Pages	The HSD882S is suited for the output stage of 0.75W audio, voltage regulator, and relay driver. 文件：59.52 Kbytes 页数：5 Pages	HSMC 华昕	HSMC
HSD880	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR	HSMC 华昕	HSMC
HSD882	文件：300 bytes Page：1 Pages	TO-126ML Bipolar Transistor	HSMC 华昕	HSMC
HSD882S	文件：300 bytes Page：1 Pages	TO-92 Bipolar Transistor	HSMC 华昕	HSMC

技术参数

Type：
NPN
BVCEO(V)：
30
IC(A)：
3
PD(W)：
10
hFEMin.：
100
hFEMax.：
500
VCE(sat)Max.(V)：
0.5
RoHS(Note1)：
PF
Status(Note2)：
M

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HSD882S-P	华昕	23+	TO92	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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更多HSD88供应商更新时间2025-12-1 16:17:00

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