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HSC200100RJ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：轴向，盒；包装：散装类别：电阻器底座安装电阻器描述：RES CHAS MNT 100 OHM 5% 200W	TE Connectivity Passive Product TE Connectivity Passive Product	TE Connectivity Passive Product
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MBR200100	文件：121.24 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE200A Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
MBR200100	文件：126.83 Kbytes Page：3 Pages	200AmpRectifier20to100VoltsSchottkyBarrier Features ·Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton ·Guardringfortransientprotection ·Lowpowerlosshighefficiency ·Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MBR200100C	文件：136.64 Kbytes Page：2 Pages	SiliconSchottkyDiode,200A Features •GuardRingProtection •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •Upto100VVRRM	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MBR200100CT	文件：414.36 Kbytes Page：3 Pages	200AmpRectifier20to100VoltsSchottkyBarrier Features ·Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton ·Guardringfortransientprotection ·Lowpowerlosshighefficiency ·Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MBR200100CT	文件：133.83 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE200A 200AmpRectifier20-100Volts Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
MBR200100CT	文件：123.26 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyPowerMod	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MBR200100CT	文件：446.88 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SCHOTTKYRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MBR200100CT	文件：712.33 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC

产品属性

产品编号：
HSC200100RJ
制造商：
TE Connectivity Passive Product
类别：
电阻器 > 底座安装电阻器
系列：
HS, CGS
包装：
散装
容差：
±5%
功率 (W)：
200W
成分：
绕线
温度系数：
±50ppm/°C
工作温度：
-55°C ~ 200°C
涂层，外壳类型：
铝
安装特性：
法兰
大小 / 尺寸：
3.543" 长 x 2.874" 宽（90.00mm x 73.00mm）
高度 - 安装（最大值）：
1.654"（42.00mm）
引线样式：
端子螺钉类型
封装/外壳：
轴向，盒
描述：
RES CHAS MNT 100 OHM 5% 200W

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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