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HSB649A

SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description Low frequency power amplifier complementary pair with HSD669A. Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C) • Maximum Temperatures Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150 °C Junction Tempera

文件:32.57 Kbytes 页数:3 Pages

HSMC

华昕

HSB649T

SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description Low frequency power amplifier.

文件:43.98 Kbytes 页数:4 Pages

HSMC

华昕

HSB649A

TO-126ML Bipolar Transistor

HSMC

华昕

HSB649T

TO-126 Bipolar Transistor

HSMC

华昕

技术参数

  • Type:

    PNP

  • BVCEO(V):

    -160

  • IC(A):

    -1.5

  • PD(W):

    20

  • hFEMin.:

    100

  • hFEMax.:

    200

  • VCE(sat)Max.(V):

    -1

  • RoHS(Note1):

    PF

  • Status(Note2):

    M

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更多HSB649供应商 更新时间2026-4-19 11:09:00