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HSB-254	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：电缆，电线 - 管理标记物描述：HEAT SHRINK TUBING, 1 IN DIA X 1	Brady Corporation Brady Corporation	Brady Corporation
HV254	文件：276.75 Kbytes Page：7 Pages	32-ChannelHighVoltageAmplifierArray	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
HV254FG	文件：276.75 Kbytes Page：7 Pages	32-ChannelHighVoltageAmplifierArray	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
HV254FG-G	文件：692.72 Kbytes Page：10 Pages	32-ChannelHighVoltageAmplifierArray	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
ICX254AK	文件：197.17 Kbytes Page：18 Pages	Diagonal6mm(Type1/3)CCDImageSensorforNTSCColorVideoCameras Description TheICX254AKisaninterlineCCDsolid-stateimagesensorsuitableforNTSCcolorvideocameraswithadiagonal6mm(Type1/3)system.ComparedwiththecurrentproductICX054BK,basiccharacteristicssuchassensitivity,smear,dynamicrangeandS/Nareimproveddrasticallythrought	SonySONY 索尼索尼	Sony
ICX254AL	文件：185.77 Kbytes Page：17 Pages	Diagonal6mm(Type1/3)CCDImageSensorforEIAB/WVideoCameras Description TheICX254ALisaninterlineCCDsolid-stateimagesensorsuitableforEIAB/Wvideocameraswithadiagonal6mm(Type1/3)system.ComparedwiththecurrentproductICX054BL,basiccharacteristicssuchassensitivity,smear,dynamicrangeandS/Nareimproveddrasticallyfromvisible	SonySONY 索尼索尼	Sony
INA254	文件：950.61 Kbytes Page：21 Pages	INA254,80V,High-Voltage,짹50AIntegratedPrecisionShunt,Bidirectional,Zero-DriftCurrent-ShuntMonitor	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA254	文件：1.57175 Mbytes Page：30 Pages	INA25480-V,High-Voltage,±75-AIntegratedPrecisionShunt,Bidirectional,Zero-DriftCurrent-ShuntMonitor 1Features •Precisionintegrated400-μΩshuntresistor –Continuous±75Aat25°C –Continuous±50Afrom–40°Cto+85°C –Shuntresistortolerance:0.5(maximum) –Lowdrift:10ppm/°C(0°Cto125°C) –Lowinductance:2nH •Highaccuracy –Systemgainerror:0.5(maximum) –Systemgain	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
IRF254	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries FEATURES: •Fastswitchingtimes •LowRDS(on)HDMOS™process •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Excellenthighvoltagestability •Lowinputcapacitance •Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: •Switchingpowersupplies •Motorcontrols •AudioAmplifiers •Invert	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRF254	文件：48.37 Kbytes Page：2 Pages	NanosecondSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF254	文件：182.31 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedN-ChannelPowerMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFM254	文件：93.65 Kbytes Page：1 Pages	PulsewidthlimitedbyMaximumJunctionTemperature	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP254	文件：162.48 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.14ohm,Id=23A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastS	IRF International Rectifier	IRF
IRFP254	文件：46.91 Kbytes Page：2 Pages	StandardPowerMOSFET-N-ChannelEnhancementMode StandardPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Highcommutatingdv/dtrating •Fastswitchingtimes Applications •Switch-modeandresonant-mode po	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP254	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries FEATURES: •Fastswitchingtimes •LowRDS(on)HDMOS™process •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Excellenthighvoltagestability •Lowinputcapacitance •Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: •Switchingpowersupplies •Motorcontrols •AudioAmplifiers •Invert	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP254	文件：1.37117 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP254	文件：1.53406 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP254	文件：67.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.14Ω(Max) •FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP254	文件：621.78 Kbytes Page：2 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludetheuseofTO-220devices.TheTO-247issimilarbutsuperiortotheearlierTO-218packagebecauseofitsisolatedmoutinghole.Italsoprovidesgreatercreepagedistancebetweenpinstomee	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP254	文件：1.55662 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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产品属性

产品编号：
HSB-254
制造商：
Brady Corporation
类别：
电缆，电线 - 管理 > 标记物
包装：
散装
描述：
HEAT SHRINK TUBING, 1 IN DIA X 1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	HSB276AS	KEXIN	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	HSB278S	HITACHI		SOT	6000	原装现货,长期供应,终端可账期	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	HSB-28-1.0	TDK-LAMBD	2018+	DIP	500	TDK-LAMBDA电源专营现货原装正品专营	询价
深圳市一线半导体有限公司	HSB2836	HIT	08+	SOT-323	33000		询价
深圳市力通伟业半导体有限公司	HSB2836	RENESAS	13+	SOT323	72000	特价热销现货库存	询价
深圳市振宏微科技有限公司	HSB2836	SOT-323	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳兆威电子有限公司	HSB2836	RENESAS	23+	SOT-323	63000	原装正品现货	询价
深圳市维尔达电子有限公司	HSB2836	RENESAS	2023+	SOT-323	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	HSB2836	HITACHI/日立	23+	SOT-323	24190	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市百域芯科技有限公司	HSB2836	HITACHI/日立	21+	SOT-323	22300	优势供应实单必成可13点增值税	询价

更多HSB-254供应商更新时间2024-9-26 9:01:00

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