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HSA60R280K	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V SJ	Hunteck 恒泰柯半导体	Hunteck
IPAW60R280CE	文件：1.01271 Mbytes Page：14 Pages	600V CoolMOS짧 CE Power Transistor 文件：1.01271 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
MMF60R280QTH	文件：1.16753 Mbytes Page：10 Pages	600V 0.28ohm N-channel MOSFET 文件：1.16753 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF60R280QTH	文件：323.21 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 13.8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.28Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC 文件：323.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Product Name：
HSA60R280K
Marking：
SA60R280K
Package：
TO-220F
Vds [min V]：
600
Id [A]25℃：
15
Vgs(th)[max V]：
4.5
Rds(on)[max mohm] at Vgs=10V：
0.28
Qg [nC]at 10V：
21
Qgs[nC]：
5
Qgd [nC]：
7.5
Configuration：
Single_N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HSA60R280K供应商更新时间2025-11-3 15:01:00

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