普通红外型电路

HS9064P是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个1K*14-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有14位选项位可满足用户要求，其中的保护位可用来防止程序被读出，由于有OTP-ROM，HS9064P提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。可用自制编译器进行转换。 ◆ 宽工作电压范围：2.0V~3.6V\n◆ 工作温度范围：0℃~80℃\n◆ 工作频率范围：内置RC 4MHz±2%\n◆ 低功耗：在休眠模式时为1uA\n◆ 1K*14位片内ROM\n◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出\n◆ 40*8bits片内寄存器组（SRAM，一般寄存器）\n◆ 2组双向标准I/O端口\n◆ 3级用于子程序嵌套的堆栈\n◆ 节能模式（SLEEP模式）\n◆ 每个指令周期为两个时钟周期，99.9%的指令为单周期指令\n◆ T-MODE型模式时，最多可形成88(11*10/2+11+11+11)个按键\n◆ M-MODE型时，最多可形成36(6;

H-SUN

华芯微电子

TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-60V, Rds(on)=0.060ohm, Id=-35*A)

RAD-Hard™ HEXFET® TECHNOLOGY International Rectifier’s RAD-Hard HEXFETTMtechnology provides high performance power MOSFETs for space applications. This technology has over a decade of proven performance and reliability in satellite applications. These devices have been characterized for both Tota

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IRF

Simple Drive Requirements

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IRF

TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-60V, Rds(on)=0.055ohm, Id=-48A)

RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2) International Rectifier’s RAD-Hard HEXFETTMtechnology provides high performance power MOSFETs for space applications. This technology has over a decade of proven performance and reliability in satellite applications. These devices have been ch

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