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HR1F2Q	文件：120.85 Kbytes Page：6 Pages	On-chip resistor PNP silicon epitaxial transistor For mid-speed switching on-chip resistor PNP silicon epitaxial transistor For mid-speed switching FEATURES • Up to 2A high current drives such as IC outputs and actuators available • On-chip bias resistor • Low power consumption during drive 文件：120.85 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
HR1F2Q	文件：170.57 Kbytes Page：3 Pages	Digital Transistors 文件：170.57 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
HR1F2Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Renesas 瑞萨	Renesas
SOD1F2	文件：109.9 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT RECTIFIER 文件：109.9 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
SOD1F2	文件：359.412 Kbytes Page：2 Pages	1A 200V Fast recovery diode 文件：359.412 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
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晶体管资料

型号：
HR1F2Q
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
中速（MS）_开关管（SW）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
2W
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
60
htest：
999900
atest：
1
wtest：
2

技术参数

Vcbo (V)：
-60
VCEO (V)：
-60
Vebo (V)：
-10
Automotive：
YES
Ic (mA)：
-1000
Equivalent Circuit：
B
R1 (kOhm)：
0.22
R2 (kOhm)：
2.2
hfe1 min.：
150
hfe2 min.：
100
Pt (mW)：
2000
Package Type：
POMM
Production Status：
Mass Production

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