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IRFD113	文件：112.88 Kbytes Page：2 Pages	POWER-MOSFETFIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR POWER-MOSFETFIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR ThisseriesofN-ChannelEnhancement-modePowerMOSFETutilizesGEsadvancedPowerDMOStechnologytoachievelowon-resistancewithexcellentdeviceruggednessandreliability. Thisdesignhasbeenoptimizedtogivesuperiorperformanceinmostswitchi	GESS GE Solid State	GESS
IRFD113	文件：250.45 Kbytes Page：8 Pages	CompactPlasticPackage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD113	文件：253.48 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Forautomaticinsertion •Compactplasticpackage •Endstackable •Fastswitching •Lowdrivecurrent •Easilyparalleled •Excellenttemperaturestability •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION TheHVMDIPt	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD113PBF	文件：253.48 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFE113	文件：70.03 Kbytes Page：1 Pages	MultipleSmall-SignalTransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
IRFF113	文件：176.97 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSField-EffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features •SOAisPowerDissipationLimited •NanosecondSwitchingSpeeds •LinearTransferCharacteristics •HighInputImpedance •Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
IS113	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GENERALPURPOSEDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IS113	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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详细参数

型号：
HPR113
功能描述：
DC/DC转换器 750mW SGL OUT 15-12V
RoHS：
否
制造商：
Murata
输入电压范围：
3.6 V to 5.5 V
输出端数量：
1 输出电压（通道
1）：
3.3 V 输出电流（通道
1）：
600 mA 输出电压（通道
2）：
输出电流（通道
安装风格：
SMD/SMT

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