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MMBT2369A	文件：167.88 Kbytes Page：4 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE15VoltsPOWER225mWatts FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=15V •CollectorcurrentIC=200mA •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives MECHANICALDATA •Case:SOT-23,Plastic •Terminals:SolderableperMIL-STD-750,Method	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT2369A	文件：198.06 Kbytes Page：6 Pages	NPNSwitchingTransistor NPNSwitchingTransistor Thisdeviceisdesignedforhighspeedsaturationswitchingatcollectorcurrentsof10mAto100mA.SourcedfromProcess21.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT2369A	文件：98.98 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingta	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
MMBT2369A	文件：165.61 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Useasamediumpoweramplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT2369A	文件：182.8 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistor NPNSiliconSwitchingTransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT2369A	文件：146.66 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT2369A	文件：1.04915 Mbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Useasamediumpoweramplifier.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBT2369AL	文件：94.17 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingTransistors SwitchingTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2369-G	文件：51.49 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS Features -Powerdissipation PC=0.3W	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMBT2369L	文件：215.83 Kbytes Page：8 Pages	SwitcingTransistors SwitchingTransistors NPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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