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HP8MB5	文件：4.52682 Mbytes Page：22 Pages	丝印：HP8MB5；Package：HSOP8；40V NchPch Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) Small Surface Mount Package (HSOP8) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) Halogen Free Application Switching 文件：4.52682 Mbytes 页数：22 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
HP8MB5	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. • Low on - resistance\n• Small Surface Mount Package (HSOP8)\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• Halogen Free;	ROHM 罗姆	ROHM
HT8MB5	文件：4.24143 Mbytes Page：22 Pages	40V NchPch Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High Power small mold Package (HSMT8) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) Halogen Free 5) 100%Rg and UIS tested Application Switching,Motor drives 文件：4.24143 Mbytes 页数：22 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
QH8MB5	文件：4.4789 Mbytes Page：22 Pages	40V NchPch Small Signal MOSFET 文件：4.4789 Mbytes 页数：22 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SH8MB5	文件：4.49651 Mbytes Page：22 Pages	40V NchPch Power MOSFET 文件：4.49651 Mbytes 页数：22 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
HSOP8 (Symmetry Dual)
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
HSOP8D (5x6)
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
40
Drain Current ID[A]：
16.5
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.057
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.035
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.057
Total gate charge Qg[nC]：
1.8
Power Dissipation (PD)[W]：
20
Drive Voltage[V]：
4.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
4.9x6 (t=1.1)

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更多HP8MB5供应商更新时间2025-10-7 12:00:00

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