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NCE0106AR	文件：338.85 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE0106ARusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=100V,ID=6A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE0106R	文件：977.47 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE0106R	文件：383.51 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE0106Z	文件：369.93 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
OFM-0106	文件：711.14 Kbytes Page：4 Pages	10WUltraminiatureOpenFrameSwitchingPowerSupplies	ASTRODYNEAstrodyne Corporation 天成达天成达(昆山)电子有限公司	ASTRODYNE
OFM-0106M	文件：711.14 Kbytes Page：4 Pages	10WUltraminiatureOpenFrameSwitchingPowerSupplies	ASTRODYNEAstrodyne Corporation 天成达天成达(昆山)电子有限公司	ASTRODYNE
P0106	文件：74.83 Kbytes Page：1 Pages	LOWPROFILESELF-LEADEDPOWERINDUCTORSDesignedforPCMCIAApplications	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
QPA0106	文件：1.00429 Mbytes Page：28 Pages	1.0–6.0GHz18WGaNPowerAmplifier KeyFeatures •FrequencyRange:1–6GHz •PSAT:42.7dBm(PIN=19dBm) •PAE:>40(PIN=19dBm) •PowerGain:24dB(PIN=19dBm) •SmallSignalGain:>31dB •Bias:VD=22V,IDQ=1022mA •PackageDimensions:7.00x7.00x0.85mm Performanceistypicalacrossfrequency.Please	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
QPA0106EVB	文件：1.00429 Mbytes Page：28 Pages	1.0–6.0GHz18WGaNPowerAmplifier KeyFeatures •FrequencyRange:1–6GHz •PSAT:42.7dBm(PIN=19dBm) •PAE:>40(PIN=19dBm) •PowerGain:24dB(PIN=19dBm) •SmallSignalGain:>31dB •Bias:VD=22V,IDQ=1022mA •PackageDimensions:7.00x7.00x0.85mm Performanceistypicalacrossfrequency.Please	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
QPM0106	文件：660.98 Kbytes Page：25 Pages	1.0–6.0GHz35WGaNPowerAmplifier Applications •ElectronicWarfare •Radar •TestInstrumentation •Communications KeyFeatures •FrequencyRange:1–6GHz •PSAT:45.4dBm(PIN=23dBm) •PAE:41%(PIN=23dBm) •PowerGain:22.4dB(PIN=23dBm) •SmallSignalGain:30.2dB •Bias:VD=24V,IDQ=2044mA	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO

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