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HN3C10FU数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

HN3C10FU

参数属性

HN3C10FU 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

功能描述

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-13 20:00:00

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技术参数

  • 产品编号:

    HN3C10FUTE85LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益:

    11.5dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 20mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    80mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    US6

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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