HN3C10FU数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

厂商型号 |
HN3C10FU |
参数属性 | HN3C10FU 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6 |
功能描述 | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
封装外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-13 20:00:00 |
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技术参数
- 产品编号:
HN3C10FUTE85LF
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
2 NPN(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
12V
- 频率 - 跃迁:
7GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.1dB @ 1GHz
- 增益:
11.5dB
- 功率 - 最大值:
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 20mA,10V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
80mA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:
US6
- 描述:
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
SOT-363 |
54648 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
2016+ |
SOT363 |
23864 |
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TOSHIBA/东芝 |
1942+ |
SOT-363 |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT-363 |
50000 |
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ToshibaSe |
NA |
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原装TOSHIBA |
24+ |
SOT-363 |
9000 |
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SOT-363 |
23+ |
NA |
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TOSHIBA |
24+ |
SOT363 |
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原装TOSHIBA |
23+ |
SOT-363 |
7300 |
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TOSHIBA |
22+ |
SC70-6 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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