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HN2S02JE中文资料Small-signal Schottky barrier diode数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

HN2S02JE

参数属性

HN2S02JE 封装/外壳为SOT-553;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV

功能描述

Small-signal Schottky barrier diode

封装外壳

SOT-553

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-23 15:16:00

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HN2S02JE规格书详情

描述 Description

Feature:Standard
Internal Connection:Independent
Number of Circuits:2
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本

特性 Features

Average Forward Current IO 0.1 A
Reverse Voltage VR 40 V

技术参数

  • 制造商编号

    :HN2S02JE

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Product Category

    :Small-signal Schottky barrier diode

  • internal_connection

    :Independent

  • IF/IF(AV)/IO (Max) (A)

    :0.1

  • VR/VRRM (Max)(V)

    :40

  • IR/IRRM (Max)(mA)

    :0.005

  • Features

    :Standard

  • Number of Circuits

    :2

  • Number of pins

    :5

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :ESV

  • Width×Length×Height(mm)

    :1.6 x 1.6 x 0.55

  • Package Size(mm^2)

    :2.56

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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