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HN2D02FUTW1中文资料超高速开关二极管数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
HN2D02FUTW1 |
参数属性 | HN2D02FUTW1 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC88 |
功能描述 | 超高速开关二极管 |
封装外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 17:01:00 |
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HN2D02FUTW1规格书详情
描述 Description
The Switching Diode is designed for use in ultra high speed switching applications. This device is housed in the SC-88 package, which is designed for low power surface mount applications.
特性 Features
• Fast trr,
• Low CD,
• Available in 8mm Tape and Reel
• Pb-Free Package is Available
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable
简介
HN2D02FUTW1属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的HN2D02FUTW1二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。
技术参数
更多- 制造商编号
:HN2D02FUTW1
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- Halide free
:H
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- Configuration
:Triple
- VR Min (V)
:80
- VF Max (V)
:1.2
- IR Max (µA)
:0.1
- IF Max (A)
:0.1
- trr Max (ns)
:3
- CD Max (pF)
:2
- Package Type
:SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-363 |
30000 |
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询价 | ||
ON |
25+23+ |
6SC88 |
23052 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-363 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
INTERSIL |
25+ |
SC88 |
3000 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
ON/ONSemiconductor/安森 |
24+ |
SOT-163SOT-23-6 |
303200 |
新进库存/原装 |
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SYFOREVER |
25+ |
SOT-363 |
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ON/安森美 |
23+ |
SOT-363 |
8080 |
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询价 | ||
INTERSIL |
23+ |
SC88 |
9526 |
询价 |