HN2E04F中文资料Multi-chip discrete device (PNP + SW diode)数据手册Toshiba规格书
HN2E04F规格书详情
描述 Description
Other characteristics (Q1)：High breakdown voltage PNP
Other characteristics (Q2)：Small-signal SW diode
Internal Connection：Independent
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本
特性 Features
Collector Current (Q1) IC -0.1 A
Q2 Average Forward Current IO 100 mA
Collector-emitter voltage (Q1) VCEO -120 V
Q2 Reverse Voltage VR 80 V
技术参数
- 制造商编号
：HN2E04F
- 生产厂家
：Toshiba
- Configuration
：PNP + Small-signal SW diode
- (Q1)VCEO (Max)(V)
：-120
- (Q1)IC (Max)(A)
：-0.1
- (Q2)VR (Max)(V)
：80
- Number of pins
：6
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：SM6
- Width×Length×Height(mm)
：2.9 x 2.8 x 1.1
- Package Size(mm^2)
：8.12
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SC-74 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
10+ |
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3000 |
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TOSHIBA |
24+ |
SOT-4328&NBS |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA |
25+ |
SOT-363 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
NA |
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SOT-153 |
23+ |
NA |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA |
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SC-74 |
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TOS |
2025+ |
SOT23-6 |
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询价 |
