HN3C10FU 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 ToshibaSe

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厂家型号：
HN3C10FU
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
生产厂商：
ToshibaSe
库存数量：
8560
产品封装：
NA
生产批号：
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-5-16 10:51:00

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原厂料号：HN3C10FU品牌：ToshibaSe

一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货

HN3C10FU是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商ToshibaSe/Toshiba Semiconductor and Storage生产封装NA/6-TSSOP，SC-88，SOT-363的HN3C10FU晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
HN3C10FU
规格书：
下载
企业简称：
TOSHIBA【东芝】详情
厂商全称：
Toshiba Semiconductor
中文名称：
株式会社東芝
内容页数：
1 页
文件大小：
90.99 kb
资料说明：
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)

产品属性

类型
描述
产品编号：
HN3C10FUTE85LF
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
2 NPN（双）
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 1GHz
增益：
11.5dB
功率 - 最大值：
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 20mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
80mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：
US6
描述：
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

供应商

企业：
深圳市赛美科科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
雷小姐朱先生
手机：
13480875861
询价：
电话：
0755-28309323 13480811379
传真：
0755-28309323
地址：
深圳市龙岗区坂田街道光雅园商住区11栋908

HN3C10FU 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 ToshibaSe

HN3C10FU

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