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HN2S04FU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small-signal Schottky barrier diode Feature：High current / Low VF\nInternal Connection：Independent\nNumber of Circuits：3\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Average Forward Current IO 0.2 A \nReverse Voltage VR 20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
HN2S04FU	文件：168.88 Kbytes Page：4 Pages	High-Speed Switching Application 文件：168.88 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
JDP2S04E	文件：93 Kbytes Page：3 Pages	Diode Silicon Epitaxial Pin Type 文件：93 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
JDP2S04E	文件：204.23 Kbytes Page：3 Pages	VHF~UHF Band RF Attenuator Applications 文件：204.23 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Product Category：
Small-signal Schottky barrier diode
internal_connection：
Independent
IF/IF(AV)/IO (Max) (A)：
0.2
VR/VRRM (Max)(V)：
20
IR/IRRM (Max)(mA)：
0.05
Features：
High current/Low VF
Number of Circuits：
3
Number of pins：
6
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
US6
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.1 x 0.9
Package Size(mm^2)：
4.20

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HN2S04FU供应商更新时间2026-1-28 13:30:00

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