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HN2S03T中文资料Small-signal Schottky barrier diode数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

HN2S03T

参数属性

HN2S03T 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TESQ

功能描述

Small-signal Schottky barrier diode

封装外壳

4-SMD,扁平引线

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-27 12:01:00

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HN2S03T规格书详情

描述 Description

Feature:Low leakage current / High-speed switching
Internal Connection:Independent
Number of Circuits:2
RoHS Compatible Product(s) (#):Available

特性 Features

Average Forward Current IO 0.05 A
Reverse Voltage VR 20 V

技术参数

  • 产品编号:

    HN2S03T(TE85L)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    散装

  • 二极管配置:

    2 个独立式

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    50mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 工作温度 - 结:

    125°C(最大)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    TESQ

  • 描述:

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TESQ

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