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HMS10N80	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压超结MOS	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
HMS10N80F	文件：502.55 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Super Junction MOSFET 文件：502.55 Kbytes 页数：3 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HMS10N80K	文件：545.31 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Super Junction MOSFET 文件：545.31 Kbytes 页数：3 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
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技术参数

封装（Package）：
TO-220
沟道（Polarity）：
N沟道/带ESD
VDS(Max)BVDSS(V)：
800.00V
ID(Max)ID(A)：
10.00A
IDM：
30.00A
VTH(Typ)：
30.00V
VGS：
30.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
580.00mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
IPP80R650P6/多层外延工艺，抗冲击性强

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更多HMS10N80供应商更新时间2026-1-17 16:00:00

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