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HMH1804N

LV MOSFETs

Hmyxsemi

华镁忆芯

Hmyxsemi

HY1804

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features 40V/80A, RDS(ON)=4.0 m2 (typ.) @VGs=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)

文件:883.75 Kbytes 页数:12 Pages

HOOYI

后羿半导体

HY1804B

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:916.81 Kbytes 页数:10 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1804D

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.50495 Mbytes 页数:12 Pages

HUAYI

华羿微电

技术参数

  • 封装形式:

    DFN5*6

  • VDS(V):

    30

  • ID(A):

    100

  • VGS(V):

    ±20

  • VTH(V):

    1.6

  • RDSON@10V(mΩ)Typ:

    3.4

  • RDSON@10V(mΩ)Max:

    4.1

  • RDSON@4.5V(mΩ)Typ:

    4.7

  • RDSON@4.5V(mΩ)Max:

    6.0

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多HMH1804N供应商 更新时间2025-12-24 11:17:00