Low Noise Amplifier

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GaAs pHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 5 - 10 GHz

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Package：模具；包装：卷带（TR） 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP GP 5GHZ-10GHZ DIE

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GaAs pHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 5 - 10 GHz

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5 GHz至11 GHz GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

HMC902-裸片是一款砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)单芯片微波集成电路(MMIC)、低噪声放大器(LNA)，通过可选偏置控制实现自偏置，以降低IDQ。HMC902-裸片的工作频率范围为5 GHz至11 GHz。该LNA提供20 dB的小信号增益、1.6 dB的噪声系数、28 dBm的输出IP3，采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC902-裸片还具有匹配至50 Ω的输入/输出以便轻松集成到多芯片模块(MCM)。这些数据均利用50 Ω测试夹具中的HMC902-裸片获取，通过长度为0 • 噪声系数：小信号增益：1.6 dB（典型值）20 dB（典型值）\n\n• P1dB输出功率：16 dBm（典型值）\n\n• 电源电压：3.5 V（80 mA，典型值）\n\n• 输出IP3：28 dBm（典型值）\n\n• 50 Ω匹配输入/输出\n\n• 通过可选偏置控制实现自偏置，在不施加射频(RF)的情况下降低静态漏极电流(IDQ) \n\n• 裸片尺寸：1.33 mm × 1.04 mm × 0.102 mm;

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低噪声放大器，采用SMT封装，5 - 10 GHz

HMC902LP3E是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)，通过可选偏置控制实现自偏置，以降低IDQ。HMC902LP3E采用无引脚3 mm × 3 mm塑料表贴封装。该放大器的工作频率范围为5 GHz至11 GHz，提供19.5 dB的小信号增益，1.8 dB的噪声系数，28 dBm的输出IP3，采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。\n\n 16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC902LP3E还具有隔直输入/输出，内部匹配50 Ω，因而 • 低噪声系数：1.8 dB（典型值） \n\n• 高增益：19.5 dB\n\n• 高P1dB输出功率：16 dBm（典型值） \n\n• 单电源：3.5 V (80 mA)\n\n• 输出IP3：28 dBm\n\n• 50 Ω匹配输入/输出\n\n• 通过可选偏置控制实现自偏置，以降低静态漏极控制(IDQ)。\n\n• 3 mm × 3 mm、16引脚芯片级(LFCSP)封装：9 mm²;

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Package：16-VFQFN 裸露焊盘；包装：托盘 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP GP 5GHZ-10GHZ 16QFN

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