HMC815B数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频混频器规格书PDF

描述 Description

HMC815B是一款紧凑的砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)上变频器，采用符合RoHS标准的封装，工作频率范围为21 GHz至27 GHz。该器件提供12 dB的小信号转换增益和20 dBc的边带抑制性能。HMC815B采用驱动放大器工作，前接由有源2×乘法器驱动LO的同相正交(I/Q)混频器。还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。

HMC815B为混合型单边带(SSB)下变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。

HMC815B提供4.90 mm × 4.90 mm、32引脚LCC陶瓷封装，工作温度范围为−40°C至+85°C。如有需要，还可提供HMC815B评估板。

应用

点到点及点到多点无线电 军用雷达、电子战和电子情报 卫星通信 传感器

特性 Features

• 转换增益：12 dB（典型值）

• 边带抑制：20 dBc（典型值）

• OP1dB压缩：20 dBm（典型值）

• OIP3：27 dBm（典型值）

• 2× LO至RF隔离：10 dB（典型值）

• 2× LO至IF隔离：15 dB（典型值）

• RF回波损耗：12 dB（典型值）

• LO回波损耗：15 dB（典型值）

简介

HMC815B属于RF/IF射频/中频RFID的射频混频器。由制造生产的HMC815B射频混频器射频混频器又称混频器，这些器件具有三个端口，用于改变两个输入信号的频率。射频混频器是一些无源或有源器件，可用于对信号进行上下变频。特征包括射频类型、频率、混频器数、增益、噪声系数、辅助属性、电流和电压。频率范围为 0 至 90 GHz，混频器数为 1、2、3 或 4。