21 GHz to 27 GHz, GaAs, MMIC, I/Q Upconverter

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GaAs MMIC I/Q上变频器，21 - 27 GHz

HMC815B是一款紧凑的砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)上变频器，采用符合RoHS标准的封装，工作频率范围为21 GHz至27 GHz。该器件提供12 dB的小信号转换增益和20 dBc的边带抑制性能。HMC815B采用驱动放大器工作，前接由有源2×乘法器驱动LO的同相正交(I/Q)混频器。还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。\n\n HMC815B为混合型单边带(SSB)下变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。\n\n • 转换增益：12 dB（典型值）\n\n• 边带抑制：20 dBc（典型值）\n\n• OP1dB压缩：20 dBm（典型值）\n\n• OIP3：27 dBm（典型值）\n\n• 2× LO至RF隔离：10 dB（典型值）\n\n• 2× LO至IF隔离：15 dB（典型值）\n\n• RF回波损耗：12 dB（典型值）\n\n• LO回波损耗：15 dB（典型值）;

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Package：32-TFCQFN 裸露焊盘；包装：管件 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频混频器 描述：MIXER, UPCONVERTER

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Package：32-TFCQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR） 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频混频器 描述：MIXER, UPCONVERTER

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Package：32-TFCQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR） 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频混频器 描述：MIXER, UPCONVERTER

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