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SE8119AKXLF	文件：232.94 Kbytes Page：6 Pages	800mAPositiveVoltageRegulators	SEAWARDSEAWARD electronics inc 思旺北京思旺电子技术有限公司	SEAWARD
SE8119AKXLF/HF	文件：232.94 Kbytes Page：6 Pages	800mAPositiveVoltageRegulators	SEAWARDSEAWARD electronics inc 思旺北京思旺电子技术有限公司	SEAWARD
SE8119AKXLFSLASHHF	文件：232.94 Kbytes Page：6 Pages	800mAPositiveVoltageRegulators	SEAWARDSEAWARD electronics inc 思旺北京思旺电子技术有限公司	SEAWARD
SE8119C	文件：217.55 Kbytes Page：5 Pages	800mAPositiveVoltageRegulators	SEAWARDSEAWARD electronics inc 思旺北京思旺电子技术有限公司	SEAWARD
TA8119P	文件：402.2 Kbytes Page：10 Pages	STEREOHEADPHONEAMPLIFIER(3VUSE)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8119	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8119	文件：206.95 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSV) Lithium-IonBatteryApplications LoadswitchApplications NotebookPCApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=10mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=24S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UPC8119T	文件：663.95 Kbytes Page：52 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Recommendedoperatingfrequency:f=100MHzto1.92GHz •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Lowcurrentconsumption:ICC=11mATYP.@VCC=3.0V •Gaincontrolvoltage:VAGC=0.6to2.4V(recommended) •Twotypesofgaincontrol:μPC8119T;VAGCupvs.Gaindown(Forw	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC8119T	文件：371.8 Kbytes Page：40 Pages	-15dBmINPUT,VARIABLEGAINAMPLIFIERSILICONMMICFORTRANSMITTERAGCOFDIGITALCELLULARTELEPHONE DESCRIPTION TheµPC8130TAandµPC8131TAaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasvariablegainamplifier.Dueto800MHzto1.5GHzoperation,theseICsaresuitableforRFtransmitterAGCstageofdigitalcellulartelephone.TheseICsarelowerdistortionthanconventionalµPC8119T	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8119T	文件：550.61 Kbytes Page：52 Pages	VARIABLEGAINAMPLIFIERSILICONMMICFORTRANSMITTERAGCOFDIGITALCELLULARTELEPHONE DESCRIPTION TheµPC8119TandµPC8120Taresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasvariablegainamplifier.Dueto100MHzto1.9GHzoperation,theseICsaresuitableforRFtransmitterAGCstageofdigitalcellulartelephone.Twotypesofgaincontrolletuserschooseinaccordancewi	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

产品属性

产品编号：
HMC8119
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
频率：
81GHz ~ 86GHz
P1dB：
16dBm
电压 - 供电：
4.5V
电流 - 供电：
175mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
模具
供应商器件封装：
模具
描述：
IC RF AMP 81GHZ-86GHZ DIE

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