HMC7911数据手册RF/IF射频/中频RFID的RFIC模块规格书PDF

描述 Description

HMC7911LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益和25 dBc的边带抑制性能。 HMC7911LP5E采用RF放大器工作，前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。 HMC7911LP5E为混合型单边带上变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。

特性 Features

• 转换增益：18 dB（典型值）

• 边带抑制：30 dBc（典型值）

• 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率：2 dBm（典型值）

• 输出三阶交调截点(OIP3)：33 dBm（典型值）

• RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：10 dBm（典型值）

• IF输入端2倍LO泄漏：-25 dBm（典型值）

• RF回波损耗：13 dB（典型值）

• LO回波损耗：10 dB（典型值）

• 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装

简介

HMC7911属于RF/IF射频/中频RFID的RFIC模块。由制造生产的HMC7911RF 其它 IC 和模块RF 其它 IC 和模块产品系列包含各种独特、专门或特定用途的产品，可与 RF、IF 和微波无线电应用结合使用。示例包括 AM/FM 调谐器和接收器、偏置网络、基带处理器、计数器、数字可调电容器、下变频器、倍频器、移相器、前置分频器、端接器、上变频器、VCO 等。