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HMC787A中文资料GaAs MMIC基波混频器,3 - 11 GHz数据手册ADI规格书

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厂商型号

HMC787A

参数属性

HMC787A 封装/外壳为模具;包装为托盘;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频混频器;产品描述:MIXERS SAMPLE PACK

功能描述

GaAs MMIC基波混频器,3 - 11 GHz
MIXERS SAMPLE PACK

封装外壳

模具

制造商

ADI Analog Devices

中文名称

亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-10-14 23:00:00

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HMC787A规格书详情

描述 Description

HMC787ALC3B

HMC787A是一款通用型双平衡混频器,采用符合RoHS标准的12引脚陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装,可用作3 GHz至10 GHz范围内的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造,无需外部元件或匹配电路。HMC787A通过优化的巴伦结构提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至中频(IF)隔离性能,采用17 dBm的LO驱动电平工作。陶瓷LCC封装无需线焊,与高容量表贴制造技术兼容。

HMC787AG(芯片)

HMC787AG是一款通用型双平衡混频器,可用作3 GHz至10 GHz频率范围的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造,无需外部元件或匹配电路。

HMC787AG通过优化的巴伦结构提供高本振(LO)至RF及LO至中频(IF)隔离性能,采用13 dBm至21 dBm的LO驱动电平工作。

特性 Features

HMC787ALC3B
• 转换损耗:9 dB(典型值,3 GHz至9 GHz时)

• 本振(LO)至射频(IF)隔离:43 dB(典型值,3 GHz至9 GHz时)

• RF至中频(IF)隔离:26 dB(典型值,3 GHz至9 GHz时)

• 输入三阶交调截点(IP3):24 dBm(典型值,3 GHz至9 GHz时)

• 输入1 dB压缩点(P1dB):17 dBm(典型值,3 GHz至9 GHz时)

• 输出二阶交调截点(IP2):67 dBm(典型值,3 GHz至9 GHz时)

• 无源双平衡拓扑结构

• 宽IF频率范围:DC至4 GHz

• 12引脚、陶瓷、无铅芯片载体(LCC)封装

应用 Application

• 微波无线电
• 工业、科研和医疗(ISM)频段和超宽频段(UWB)无线电
• 测试设备和传感器
• 军用最终用途

简介

HMC787A属于RF/IF射频/中频RFID的射频混频器。由制造生产的HMC787A射频混频器射频混频器又称混频器,这些器件具有三个端口,用于改变两个输入信号的频率。射频混频器是一些无源或有源器件,可用于对信号进行上下变频。特征包括射频类型、频率、混频器数、增益、噪声系数、辅助属性、电流和电压。频率范围为 0 至 90 GHz,混频器数为 1、2、3 或 4。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HMC787AG-SX

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频混频器

  • 包装:

    托盘

  • 射频类型:

    ISM,UWB

  • 频率:

    3GHz ~ 10GHz

  • 噪声系数:

    10dB

  • 辅助属性:

    降频变频器

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    模具

  • 描述:

    MIXERS SAMPLE PACK

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