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HMC784MS8GE中文资料GaAs MMIC 10 WATT T/R SWITCH DC - 4 GHz数据手册ADI规格书
| 厂商型号 |
HMC784MS8GE |
| 参数属性 | HMC784MS8GE 封装/外壳为8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘；包装为卷带（TR）；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频开关；产品描述：IC RF SWITCH SPDT 4GHZ 8MSOP |
| 功能描述 | GaAs MMIC 10 WATT T/R SWITCH DC - 4 GHz |
| 封装外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘 |
| 制造商 | ADI Analog Devices |
| 中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 14:36:00 |
| 人工找货 | HMC784MS8GE价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HMC784MS8GE规格书详情
简介
HMC784MS8GE属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由制造生产的HMC784MS8GE射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线（分集）接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择，或在发射和接收信号链之间切换天线。
技术参数
更多- 产品编号：
HMC784MS8GE
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频开关
- 包装：
卷带（TR）
- 射频类型：
通用
- 拓扑：
反射
- 电路：
SPDT
- 频率范围：
0Hz ~ 4GHz
- 隔离：
30dB
- 插损：
1.3dB
- 测试频率：
4GHz
- P1dB：
41dBm
- IIP3：
60dBm
- 阻抗：
50 欧姆
- 电压 - 供电：
3V ~ 8V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘
- 供应商器件封装：
8-MSOP-EP
- 描述：
IC RF SWITCH SPDT 4GHZ 8MSOP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITTITE |
18+ |
8MSOP |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
ADI |
22+ |
8MSOP |
9000 |
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询价 | ||
HITTITE |
24+ |
MSOP |
18700 |
原装进口现货特价热卖深圳北京均可交货 |
询价 | ||
HITTITE |
1922+ |
NA |
1550 |
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Hittite Microwave |
24+ |
N/A |
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HITTITE |
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ADI |
23+ |
NA |
6800 |
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ADI/亚德诺 |
22+ |
NA |
24500 |
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HITTITE |
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MSOP |
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HITTITE |
24+ |
MSOP |
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询价 |
