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|---|---|---|---|---|
HMC755LP4E | GaAs MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 2.3 - 2.8 GHz | Hittite Hittite Microwave Corporation | Hittite | |
HMC755LP4E | GaAs MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 2.3 - 2.8 GHz | Hittite Hittite Microwave Corporation | Hittite | |
HMC755LP4E | GaAs MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 2.3 - 2.8 GHz; | ADIAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | ADI | |
HMC755LP4E | Package：24-VFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC AMP LTE 2.3GHZ-2.8GHZ 24QFN | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | AD | |
GaAs MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 2.3 - 2.8 GHz | Hittite Hittite Microwave Corporation | Hittite | ||
Package：24-VFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR） 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC AMP LTE 2.3GHZ-2.8GHZ 24QFN | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | AD |
产品属性
- 产品编号：
HMC755LP4E
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 频率：
2.3GHz ~ 2.8GHz
- P1dB：
31dBm
- 增益：
31dB
- 射频类型：
LTE，WiMax
- 电压 - 供电：
5V
- 电流 - 供电：
480mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
24-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
24-QFN（4x4）
- 描述：
IC AMP LTE 2.3GHZ-2.8GHZ 24QFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITTITE |
24+ |
SMD |
5500 |
HITTITE专营品牌绝对进口原装假一赔十 |
询价 | ||
ADI |
20+ |
24-VFQFN |
1128 |
无线通信IC,大量现货! |
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最新 |
2000 |
原装正品现货 |
询价 | ||||
ADI |
20+ |
QFN-24 |
3000 |
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ADI |
22+ |
24QFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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HITTITE |
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10000 |
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ADI |
21+ |
标准封装 |
500 |
进口原装,订货渠道! |
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HITTITE |
原厂封装 |
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ADI/亚德诺 |
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SMD |
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ANALOG DEVICES |
23+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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