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HMC718LP4E

GaAs PHEMT MMIC HIGH IP3 LOW NOISE AMPLIFIER, 0.6 - 1.4 GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

HMC718LP4E

Package:24-VFQFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC AMP LTE 600MHZ-1.4GHZ 24SMT

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC718LP4ETR

Package:24-VFQFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR) 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC AMP LTE 600MHZ-1.4GHZ 24SMT

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

718LP4E

GaAsPHEMTMMICHIGHIP3LOWNOISEAMPLIFIER,0.6-1.4GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

HMC718LP4

GaAsPHEMTMMICHIGHIP3LOWNOISEAMPLIFIER,0.6-1.4GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

产品属性

  • 产品编号:

    HMC718LP4E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 频率:

    600MHz ~ 1.4GHz

  • P1dB:

    21.5dBm

  • 增益:

    32dB

  • 噪声系数:

    0.9dB

  • 射频类型:

    LTE,WiMax

  • 电压 - 供电:

    3V,5V

  • 电流 - 供电:

    254mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    24-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    24-QFN(4x4)

  • 描述:

    IC AMP LTE 600MHZ-1.4GHZ 24SMT

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