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HMC581LP6E数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频混频器规格书PDF

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厂商型号

HMC581LP6E

参数属性

HMC581LP6E 封装/外壳为28-VQFN 裸露焊盘;包装为散装;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频混频器;产品描述:IC DOWNCONVERTER HI IP3 28-QFN

功能描述

HIGH IP3 RFIC DUAL DOWNCONVERTER, 800 - 960 MHz
IC DOWNCONVERTER HI IP3 28-QFN

封装外壳

28-VQFN 裸露焊盘

制造商

ADI Analog Devices

中文名称

亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-12 11:16:00

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HMC581LP6E规格书详情

简介

HMC581LP6E属于RF/IF射频/中频RFID的射频混频器。由制造生产的HMC581LP6E射频混频器射频混频器又称混频器,这些器件具有三个端口,用于改变两个输入信号的频率。射频混频器是一些无源或有源器件,可用于对信号进行上下变频。特征包括射频类型、频率、混频器数、增益、噪声系数、辅助属性、电流和电压。频率范围为 0 至 90 GHz,混频器数为 1、2、3 或 4。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HMC581LP6E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频混频器

  • 包装:

    散装

  • 射频类型:

    通用

  • 频率:

    800MHz ~ 960MHz

  • 增益:

    9dB

  • 噪声系数:

    13dB

  • 辅助属性:

    降频变频器

  • 电流 - 供电:

    260mA

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    28-VQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    28-QFN(6x6)

  • 描述:

    IC DOWNCONVERTER HI IP3 28-QFN

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