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HMC409LP4E

GaAs InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER,

General Description The HmC409lp4e are high efficiency GaAs inGap HBT mmiC power amplifiers operating from 3.3 to 3.8 GHz. The amplifier is packaged in a low cost, leadless smT package. Utilizing a minimum of external components the amplifier provides 31 dB of gain and +32.5 dBm of saturated powe

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亚德诺

HMC409LP4E

GaAs InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 3.3 - 3.8 GHz

General Description The HMC409LP4 & HMC409LP4E are high effi ciency GaAs InGaP HBT MMIC Power amplifi ers operating from 3.3 to 3.8 GHz. The amplifi er is packaged in a low cost, leadless SMT package. Utilizing a minimum of external components the amplifi er provides 31 dB of gain and +32.5 d

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Hittite

HMC409LP4E

GaAs InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 3.3 - 3.8 GHz

文件:1.01905 Mbytes 页数:8 Pages

Hittite

HMC409LP4E

Package:24-VFQFN 裸露焊盘;包装:带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC AMP WIMAX 3.3GHZ-3.8GHZ 24SMT

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亚德诺

HMC409LP4ETR

Package:24-VFQFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR) 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC AMP WIMAX 3.3GHZ-3.8GHZ 24SMT

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亚德诺

产品属性

  • 产品编号:

    HMC409LP4E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

  • 频率:

    3.3GHz ~ 3.8GHz

  • P1dB:

    30.5dBm

  • 增益:

    31dB

  • 噪声系数:

    6dB

  • 射频类型:

    WiMax

  • 电压 - 供电:

    5V

  • 电流 - 供电:

    615mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    24-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    24-LFCSP(4x4)

  • 描述:

    IC AMP WIMAX 3.3GHZ-3.8GHZ 24SMT

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更多HMC409LP4E供应商 更新时间2022-6-12 10:12:00