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HMC415LP3E

Power Down Capability

文件:416.2 Kbytes 页数:8 Pages

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亚德诺

HMC415LP3E

GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 4.9 - 5.9 GHz

文件:278.37 Kbytes 页数:8 Pages

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HMC415LP3E

Package:16-VFQFN 裸露焊盘;包装:带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC AMP HIPERLAN 4.9-5.9GHZ 16SMT

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亚德诺

HMC415LP3ETR

Package:16-VFQFN 裸露焊盘;包装:带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC AMP HIPERLAN 4.9-5.9GHZ 16SMT

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亚德诺

产品属性

  • 产品编号:

    HMC415LP3E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

  • 频率:

    4.9GHz ~ 5.9GHz

  • P1dB:

    23dBm

  • 增益:

    20dB

  • 噪声系数:

    6dB

  • 射频类型:

    HiperLAN,UNII

  • 电压 - 供电:

    3V

  • 电流 - 供电:

    285mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    16-QFN(3x3)

  • 描述:

    IC AMP HIPERLAN 4.9-5.9GHZ 16SMT

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更多HMC415LP3E供应商 更新时间2025-9-30 15:03:00