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HMC409LP4ERF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
HMC409LP4E |
| 参数属性 | HMC409LP4E 封装/外壳为24-VFQFN 裸露焊盘；包装为带；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器；产品描述：IC AMP WIMAX 3.3GHZ-3.8GHZ 24SMT |
| 功能描述 | GaAs InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 3.3 - 3.8 GHz |
| 封装外壳 | 24-VFQFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
415.61 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Hittite Microwave Corporation |
| 企业简称 |
HITTITE |
| 中文名称 | Hittite Microwave Corporation官网 |
| 原厂标识 | HITTITE |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 23:00:00 |
| 人工找货 | HMC409LP4E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HMC409LP4E规格书详情
General Description
The HMC409LP4 & HMC409LP4E are high effi ciency GaAs InGaP HBT MMIC Power amplifi ers operating from 3.3 to 3.8 GHz. The amplifi er is packaged in a low cost, leadless SMT package. Utilizing a minimum of external components the amplifi er provides 31 dB of gain and +32.5 dBm of saturated power from a +5.0V supply voltage. The power control (Vpd) can be used for full power down or RF output power/current control. For +22 dBm OFDM output power (64 QAM, 54 Mbps), the HMC409LP4 & HMC409LP4E achieve an error vector magnitude (EVM) of 2, meeting WiMAX 802.16 linearity requirements.
特性 Features
Gain: 31 dB
40 PAE @ +32.5 dBm pout
2 EVM @ Pout = +22 dBm
with 54Mbps OFDM Signal
+46 dBm Output IP3
Integrated Power Control (Vpd)
Single +5V Supply
Typical Applications
This amplifier is ideal for use as a power
amplifier for 3.3 - 3.8 GHz applications:
• WiMAX 802.16
• Fixed Wireless Access
• Wireless Local Loop
产品属性
- 产品编号：
HMC409LP4E
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装：
带
- 频率：
3.3GHz ~ 3.8GHz
- P1dB：
30.5dBm
- 增益：
31dB
- 噪声系数：
6dB
- 射频类型：
WiMax
- 电压 - 供电：
5V
- 电流 - 供电：
615mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
24-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
24-LFCSP（4x4）
- 描述：
IC AMP WIMAX 3.3GHZ-3.8GHZ 24SMT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI(亚德诺) |
24+ |
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