HMC329数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频混频器规格书PDF

描述 Description

HMC329为双平衡MMIC混频器，采用芯片(HMC329)、符合RoHS标准的无引脚SMT封装(HMC329LC3B)和SMT无引脚芯片载体封装(HMC329LM3)。 HMC329器件可用作上变频器或下变频器。 HMC329混频器可用作上变频器或下变频器，芯片面积小至0.85 mm × 0.55 mm。片内巴伦提供出色的隔离性能，且该芯片无需外部元件和直流偏置。 采用安装和焊接在50 Ω微带测试夹具中的芯片进行HMC329测量，测试夹具中芯片和K型连接器之间有5 mil氧化铝基板。 测得的数据包括组件的寄生效应。 采用最小长度小于0.31 mm (<12 mil)的0.076 mm (3 mil)焊线实现与芯片的RF连接。

应用

• 微波点对点无线电

• 点对点无线电

• 点对多点无线电和甚小孔径终端(VSAT

• 本地多点分配系统(LMDS)

• 卫星通信(SATCOM)

• 测试设备和传感器

• 军用最终用途

• 雷达

特性 Features

• 无源： 无需直流偏置

• 输入IP3
HMC329: 19 dBm
HMC329LC3B: 18 dBm
HMC329LM3: 19 dBm

• 本振(LO)至射频(RF)隔离
HMC329: 42 dB
HMC329LC3B: 38 dBm
HMC329LM3: 35 dBm

• 小尺寸(HMC329)： 0.85 mm × 0.55 mm × 0.1 mm

简介

HMC329属于RF/IF射频/中频RFID的射频混频器。由制造生产的HMC329射频混频器射频混频器又称混频器，这些器件具有三个端口，用于改变两个输入信号的频率。射频混频器是一些无源或有源器件，可用于对信号进行上下变频。特征包括射频类型、频率、混频器数、增益、噪声系数、辅助属性、电流和电压。频率范围为 0 至 90 GHz，混频器数为 1、2、3 或 4。