HMC1126数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF

描述 Description

HMC1126ACEZ是一种砷化镓（GaAs）、伪晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）、低噪声放大器，工作频率为400MHz至52GHz。HMC1126ACEZ提供12 dB的典型增益、28.5 dBm的典型输出三阶截距（OIP3）、17.5 dBm的1 dB增益压缩（OP1dB）的典型输出功率以及3.5 dB的10 GHz至26 GHz的典型噪声系数。HMC1126ACEZ需要85 mA的5 V电源。所有通常需要的外部无源元件（交流耦合电容器和电源去耦电容器）都是集成的，这有助于实现小型和紧凑的印刷电路板（PCB）占地面积。

HMC1126ACEZ采用5.00 mm × 5.00 mm、24引脚芯片阵列小型封装、无引脚腔(LGA_CAV)封装。

特性 Features

• 增益：12 dB（典型值，10 GHz至26 GHz时）

• 输入回波损耗：14 dB（典型值，10 GHz至26 GHz时）

• 输出回波损耗：16 dB（典型值，10 GHz至40 GHz时）

• OP1dB：17.5 dB（典型值，10 GHz至26 GHz时）

• PSAT：21 dBm（典型值，10 GHz至26 GHz时）

应用 Application

• 测试仪器仪表
• 军事与太空

简介

HMC1126属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的HMC1126射频放大器在射频应用中，射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于，它们通常适用于更高的频率，更倾向于提供不可调节的固定增益，并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。