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HMC1126 | MMIC, Power Amplifier 文件:332.21 Kbytes 页数:16 Pages | AD 亚德诺 | AD | |
HMC1126 | GaAs、pHEMT、低噪声放大器,400 MHz至52 GHz HMC1126ACEZ是一种砷化镓(GaAs)、伪晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、低噪声放大器,工作频率为400MHz至52GHz。HMC1126ACEZ提供12 dB的典型增益、28.5 dBm的典型输出三阶截距(OIP3)、17.5 dBm的1 dB增益压缩(OP1dB)的典型输出功率以及3.5 dB的10 GHz至26 GHz的典型噪声系数。HMC1126ACEZ需要85 mA的5 V电源。所有通常需要的外部无源元件(交流耦合电容器和电源去耦电容器)都是集成的,这有助于实现小型和紧凑的印刷电路板(PCB)占地面积。\n\n HMC1126ACEZ采用5.00 mm × 5. • 增益:12 dB(典型值,10 GHz至26 GHz时)\n\n• 输入回波损耗:14 dB(典型值,10 GHz至26 GHz时)\n\n• 输出回波损耗:16 dB(典型值,10 GHz至40 GHz时)\n\n• OP1dB:17.5 dB(典型值,10 GHz至26 GHz时)\n\n• PSAT:21 dBm(典型值,10 GHz至26 GHz时); | ADI 亚德诺 | ADI | |
GaAs, pHEMT, Low Noise Amplifier, 400 MHz to 52 GHz 文件:577.9 Kbytes 页数:21 Pages | AD 亚德诺 | AD | ||
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MMIC, Power Amplifier 文件:332.21 Kbytes 页数:16 Pages | AD 亚德诺 | AD | ||
GaAs、pHEMT、MMIC、功率放大器,2 GHz至50 GHz HMC1126是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、分布式功率放大器,工作频率范围为2 GHz至50 GHz。HMC1126提供11 dB的增益、28 dBm输出IP3及17.5 dBm的输出功率(1 dB增益压缩时),功耗为65 mA(5 V电源)。\n\n HMC1126放大器输入/输出内部匹配50 Ω,可方便地集成至多芯片模块(MCM)。所有数据均由通过至少0.31 mm (12 mil)的两条0.025 mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。 • 针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率:17.5 dB(典型值)\n\n• 饱和输出功率(PSAT):21 dBm(典型值)\n\n• 增益:11 dB(典型值); | ADI 亚德诺 | ADI | ||
GaAs, pHEMT, Low Noise Amplifier, 400 MHz to 52 GHz The HMC1126ACEZ is a gallium arsenide (GaAs), pseudomorphic high electron mobility transfer (pHEMT), low noise amplifier that operates from 400 MHz to 52 GHz. The HMC1126ACEZ provides 12 dB of typical gain, 28.5 dBm typical output third-order intercept (OIP3), 17.5 dBm typical output power at 1 dB g • Gain: 12 dB typical at 10 GHz to 26 GHz\n• Input return loss: 14 dB typical at 10 GHz to 26 GHz\n• Output return loss: 16 dB typical at 10 GHz to 40 GHz\n• OP1dB: 17.5 dB typical at 10 GHz to 26 GHz\n• PSAT: 21 dBm typical at 10 GHz to 26 GHz\n• OIP3: 28.5 dBm typical at 10 GHz to 26 GHz\n• Noise ; | ADI 亚德诺 | ADI | ||
Package:24-LFLGA 裸露焊盘;包装:托盘 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:24-LGA | AD 亚德诺 | AD |
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