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HMC1126ACEZ	文件：577.9 Kbytes Page：21 Pages	GaAs, pHEMT, Low Noise Amplifier, 400 MHz to 52 GHz 文件：577.9 Kbytes 页数：21 Pages	AD 亚德诺	AD
HMC1126ACEZ-R7	文件：577.9 Kbytes Page：21 Pages	GaAs, pHEMT, Low Noise Amplifier, 400 MHz to 52 GHz 文件：577.9 Kbytes 页数：21 Pages	AD 亚德诺	AD
HMC1126ACEZ-R7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-LFLGA 裸露焊盘；包装：托盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：24-LGA	AD 亚德诺	AD
HMC1126-EVALZ	文件：577.9 Kbytes Page：21 Pages	GaAs, pHEMT, Low Noise Amplifier, 400 MHz to 52 GHz 文件：577.9 Kbytes 页数：21 Pages	AD 亚德诺	AD
HMC1126-SX	文件：332.21 Kbytes Page：16 Pages	MMIC, Power Amplifier 文件：332.21 Kbytes 页数：16 Pages	AD 亚德诺	AD
ISF1126	文件：342.04 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel Power MOSFET DESCRIPTION ·Drain Current –ID= -36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= -150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 110mΩ（max）@VGS= -10V APPLICATIONS ·Switching applications ·DC Choppers ·Automatic Test Equipment 文件：342.04 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

更多HMC1126ACEZ供应商更新时间2025-12-11 10:04:00