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HMC1126-EVALZ

GaAs, pHEMT, Low Noise Amplifier, 400 MHz to 52 GHz

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC1126-SX

MMIC,PowerAmplifier

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

ISF1126

P-ChannelPowerMOSFET

DESCRIPTION ·DrainCurrent–ID=-36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=110mΩ(max)@VGS=-10V APPLICATIONS ·Switchingapplications ·DCChoppers ·AutomaticTestEquipment

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

LC1126

ULTRALOWOUTPUTVOLTAGELINEARN-FETCONTROLLER

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

LT1126

Dual/QuadDecompensatedLowNoise,HighSpeedPrecisionOpAmps

LINERLinear Technology

凌力尔特凌特半导体

LT1126

Dual/QuadDecompensatedLowNoise,HighSpeedPrecisionOpAmps

LINERLinear Technology

凌力尔特凌特半导体

LT1126

Dual/QuadDecompensatedLowNoise,HighSpeedPrecisionOpAmps

LINERLinear Technology

凌力尔特凌特半导体

LT1126AC

Dual/QuadDecompensatedLowNoise,HighSpeedPrecisionOpAmps

LINERLinear Technology

凌力尔特凌特半导体

LT1126AM

Dual/QuadDecompensatedLowNoise,HighSpeedPrecisionOpAmps

LINERLinear Technology

凌力尔特凌特半导体

LT1126C

Dual/QuadDecompensatedLowNoise,HighSpeedPrecisionOpAmps

LINERLinear Technology

凌力尔特凌特半导体

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更多HMC1126-EVALZ供应商 更新时间2025-7-21 14:06:00