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HMC1118数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频开关规格书PDF

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厂商型号

HMC1118

参数属性

HMC1118 封装/外壳为16-VFQFN 裸露焊盘,CSP;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频开关;产品描述:IC RF SWITCH SPDT 13GHZ 16LFCSP

功能描述

高隔离SPDT非反射开关、9 kHz - 13 GHz
IC RF SWITCH SPDT 13GHZ 16LFCSP

封装外壳

16-VFQFN 裸露焊盘,CSP

制造商

ADI Analog Devices

中文名称

亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-16 12:07:00

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HMC1118规格书详情

描述 Description

HMC1118是一款通用、宽带、非反射式单刀双掷(SPDT)开关,采用LFCSP表贴封装。该开关频率范围为9 kHz至13.0 GHz,具有高隔离度和低插入损耗。该开关具有48 dB以上的隔离性能,8.0 GHz及以下频率时的插入损耗为0.68 dB,最终RFOUT的0.05 dB裕量的建立时间为7.5 μs。该开关采用+3.3 V和0 V的正控制电压逻辑线路工作,需要+3.3 V和−2.5 V电源供电。仅施加一个正电源电压而负电源电压(VSS)接地时,HMC1118的工作频率范围不变,并且仍能保持良好的功率处理性能。该器件采用3 mm × 3 mm表贴LFCSP封装。

特性 Features

• 非反射50Ω设计

• 正控制电压: 0/+3.3V

• 低插入损耗: 0.68 dB (8.0 GHz时)

• 高隔离度: 48 dB (8.0 GHz时)

• 高功率处理:•35 dBm(通过路径)
•27 dBm(端接路径)




• 高线性度:
• 1 dB压缩(P1dB):37 dBm(典型值)

• 输出三阶交调截点(IIP3):62 dBm(典型值)




• ESD额定值: 2kV 人体模型(HBM)

• 3 x 3 mm 16引脚LFCSP封装

• 无低频杂散

• 建立时间(最终RFOUT的0.05 dB裕量):7.5 μs

简介

HMC1118属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由制造生产的HMC1118射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线(分集)接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择,或在发射和接收信号链之间切换天线。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HMC1118LP3DETR

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频开关

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 射频类型:

    VSAT

  • 拓扑:

    吸收

  • 电路:

    SPDT

  • 频率范围:

    9kHz ~ 13GHz

  • 隔离:

    50dB

  • 插损:

    2dB

  • 测试频率:

    3GHz,13GHz

  • P1dB:

    37dBm

  • IIP3:

    62dBm

  • 阻抗:

    50 欧姆

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳:

    16-VFQFN 裸露焊盘,CSP

  • 供应商器件封装:

    16-LFCSP-WQ(3x3)

  • 描述:

    IC RF SWITCH SPDT 13GHZ 16LFCSP

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