HMC1118数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频开关规格书PDF

厂商型号 |
HMC1118 |
参数属性 | HMC1118 封装/外壳为16-VFQFN 裸露焊盘,CSP;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频开关;产品描述:IC RF SWITCH SPDT 13GHZ 16LFCSP |
功能描述 | 高隔离SPDT非反射开关、9 kHz - 13 GHz |
封装外壳 | 16-VFQFN 裸露焊盘,CSP |
制造商 | ADI Analog Devices |
中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-16 12:07:00 |
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HMC1118规格书详情
描述 Description
HMC1118是一款通用、宽带、非反射式单刀双掷(SPDT)开关,采用LFCSP表贴封装。该开关频率范围为9 kHz至13.0 GHz,具有高隔离度和低插入损耗。该开关具有48 dB以上的隔离性能,8.0 GHz及以下频率时的插入损耗为0.68 dB,最终RFOUT的0.05 dB裕量的建立时间为7.5 μs。该开关采用+3.3 V和0 V的正控制电压逻辑线路工作,需要+3.3 V和−2.5 V电源供电。仅施加一个正电源电压而负电源电压(VSS)接地时,HMC1118的工作频率范围不变,并且仍能保持良好的功率处理性能。该器件采用3 mm × 3 mm表贴LFCSP封装。
特性 Features
• 非反射50Ω设计
• 正控制电压: 0/+3.3V
• 低插入损耗: 0.68 dB (8.0 GHz时)
• 高隔离度: 48 dB (8.0 GHz时)
• 高功率处理:•35 dBm(通过路径)
•27 dBm(端接路径)
• 高线性度:
• 1 dB压缩(P1dB):37 dBm(典型值)
• 输出三阶交调截点(IIP3):62 dBm(典型值)
• ESD额定值: 2kV 人体模型(HBM)
• 3 x 3 mm 16引脚LFCSP封装
• 无低频杂散
• 建立时间(最终RFOUT的0.05 dB裕量):7.5 μs
简介
HMC1118属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由制造生产的HMC1118射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线(分集)接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择,或在发射和接收信号链之间切换天线。
技术参数
更多- 产品编号:
HMC1118LP3DETR
- 制造商:
Analog Devices Inc.
- 类别:
RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频开关
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 射频类型:
VSAT
- 拓扑:
吸收
- 电路:
SPDT
- 频率范围:
9kHz ~ 13GHz
- 隔离:
50dB
- 插损:
2dB
- 测试频率:
3GHz,13GHz
- P1dB:
37dBm
- IIP3:
62dBm
- 阻抗:
50 欧姆
- 电压 - 供电:
3V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳:
16-VFQFN 裸露焊盘,CSP
- 供应商器件封装:
16-LFCSP-WQ(3x3)
- 描述:
IC RF SWITCH SPDT 13GHZ 16LFCSP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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