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IRFD112	文件：112.88 Kbytes Page：2 Pages	POWER-MOSFETFIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR POWER-MOSFETFIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR ThisseriesofN-ChannelEnhancement-modePowerMOSFETutilizesGEsadvancedPowerDMOStechnologytoachievelowon-resistancewithexcellentdeviceruggednessandreliability. Thisdesignhasbeenoptimizedtogivesuperiorperformanceinmostswitchi	GESS GE Solid State	GESS
IRFF112	文件：176.97 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSField-EffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features •SOAisPowerDissipationLimited •NanosecondSwitchingSpeeds •LinearTransferCharacteristics •HighInputImpedance •Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
IRFF112	文件：474.27 Kbytes Page：2 Pages	IM-CHANIMELPOWERMOSFETsTO-39PACKAGE TheHEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETssuchasvoltagecontrol,freedomfromsecondbreakdown,veryfastswitching,easeofparalleling,andtemperaturestabilityoftheelectricalparameters. TheyarewellsuitedforapplicationssuchasswitchingD	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRKTF112	文件：141.63 Kbytes Page：8 Pages	FASTTHYRISTOR/DIODEandTHYRISTOR/THYRISTOR	IRF International Rectifier	IRF
ISCN112P	文件：286.34 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISCP112P	文件：250.18 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
J/SST112	文件：282.56 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEN-CHANNELJFET FEATURES DIRECTREPLACEMENTFORSILICONIXJ/SST111SERIES LOWGATELEAKAGECURRENT5pA FASTSWITCHING4ns	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR
J/SST112	文件：45.89 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelJFETs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
J/SST112	文件：58.45 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelJFETs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
J112	文件：110.89 Kbytes Page：4 Pages	JFETChopperTransistor JFETChopperTransistors N−Channel—Depletion Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
HMC-XDB112
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > RF 其它 IC 和模块
包装：
管件
功能：
频率系数
频率：
10GHz ~ 15GHz
射频类型：
DBS，VSAT
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
模具
供应商器件封装：
模具
描述：
IC MULTI X2 PASSIVE DIE

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