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IRFD020	文件：222.71 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHVMDIPdesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness.HVMDIPsfeatureallofthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD020	文件：246.45 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
IRFD020	文件：248.45 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Forautomaticinsertion •Compact,endstackable •Fastswitching •Easeofparalleling •Excellenttemperaturestability •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadva	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD020PBF	文件：222.71 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHVMDIPdesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness.HVMDIPsfeatureallofthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFR020	文件：1.71489 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETRPowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	IRF International Rectifier	IRF
IRFR020	文件：1.84644 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. FEATU	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFR020	文件：4.37106 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. FEATU	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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产品属性

产品编号：
HMC-C020
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
卷带（TR）
频率：
17GHz ~ 24GHz
P1dB：
24dBm
增益：
22dB
噪声系数：
4.5dB
射频类型：
VSAT
电压 - 供电：
8V ~ 15V
电流 - 供电：
250mA
测试频率：
17GHz ~ 20GHz
安装类型：
连接器安装
封装/外壳：
模块，SMA 连接器
供应商器件封装：
模块
描述：
IC AMP VSAT 17GHZ-24GHZ MODULE

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