GaAs HEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER

General Description The HMC-ALH369 is a GaAs MMIC HEMT three stage, self-biased Low Noise Amplifi er die which operates between 24 and 40 GHz. The amplifi er provides 22 dB of gain, from a single bias supply of +5V @ 66 mA with a noise fi gure of 2 dB. The HMC-ALH369 amplifi er die is ideal for i

文件：565.86 Kbytes 页数：6 Pages

AD

亚德诺

GaAs HEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 24 - 40 GHz

General Description The HMC-ALH369 is a GaAs MMIC HEMT three stage, self-biased Low Noise Amplifi er die which operates between 24 and 40 GHz. The amplifi er provides 22 dB of gain, from a single bias supply of +5V @ 66 mA with a noise fi gure of 2 dB. The HMC-ALH369 amplifi er die is ideal for i

文件：134.85 Kbytes 页数：3 Pages

HITTITE

低噪声放大器芯片，24 - 40 GHz

HMC-ALH369是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片，工作频率范围为24至40 GHz。 该放大器提供22 dB增益，采用+5V/66 mA单偏置电源，噪声系数为2 dB。 由于尺寸较小(2.88 mm²)，HMC-ALH369放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 \n\n 应用\n\n 点对点无线电 点对多点无线电 相控阵 VSAT 卫星通信 • 出色的噪声系数： 2.0 dB \n\n• 增益： 22 dB \n\n• P1dB输出功率： +11 dBm \n\n• 电源电压： +5V (66 mA) \n\n• 裸片尺寸： 2.10 x 1.37 x 0.1 mm;

ADI

亚德诺

低噪声放大器芯片，24 - 40 GHz

HMC-ALH369是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片，工作频率范围为24至40 GHz。 该放大器提供22 dB增益，采用+5V/66 mA单偏置电源，噪声系数为2 dB。 由于尺寸较小(2.88 mm²)，HMC-ALH369放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。 \n\n 应用\n\n 点对点无线电 点对多点无线电 相控阵 VSAT 卫星通信 • 出色的噪声系数： 2.0 dB \n• P1dB输出功率： +11 dBm \n• 裸片尺寸： 2.10 x 1.37 x 0.1 mm ;

ADI

亚德诺