GaAs HEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER

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GaAs HEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER, 17 - 30 GHz

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HITTITE

中等功率放大器芯片，17 - 30 GHz

HMC-APH196是一款两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器，工作频率范围为17至30 GHz。 HMC-APH196在20 GHz下提供20 dB增益，采用+4.5V电源电压时具有+22 dBm输出功率（1 dB压缩）。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，放大器已完全钝化以实现可靠操作。 \n\n HMC-APH196 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式，以及热压缩和热超声线焊工艺，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 \n\n 应用 \n\n 点对点无线 • 输出IP3： +31 dBm \n\n• P1dB： +22 dBm \n\n• 增益： 20 dB (20 GHz) \n\n• 电源电压： +4.5V \n\n• 50 Ω匹配输入/输出 \n\n• 裸片尺寸： 3.3 x 1.95 x 0.1 mm;

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Package：模具；包装：卷带（TR） 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP VSAT 17GHZ-30GHZ DIE

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中等功率放大器芯片，17 - 30 GHz

HMC-APH196是一款两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器，工作频率范围为17至30 GHz。 HMC-APH196在20 GHz下提供20 dB增益，采用+4.5V电源电压时具有+22 dBm输出功率（1 dB压缩）。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，放大器已完全钝化以实现可靠操作。 \n\n HMC-APH196 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式，以及热压缩和热超声线焊工艺，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 \n\n 应用 \n\n 点对点无线 • 输出IP3： +31 dBm \n• 增益： 20 dB (20 GHz) \n• 50 Ω匹配输入/输出 \n• 裸片尺寸： 3.3 x 1.95 x 0.1 mm ;

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Package：模具；包装：盒 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC AMP VSAT DBS 17GHZ-30GHZ DIE

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