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HMBT1815	文件：32.28 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HMBT1815 is designed for use in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. 文件：32.28 Kbytes 页数：3 Pages	HSMC 华昕	HSMC
HMBT1815	文件：300 bytes Page：1 Pages	SOT-23 Bipolar Transistor	HSMC 华昕	HSMC
HSC1815	文件：35.2 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HSC1815 is designed for use in driver stage of AF amplifier general purpose amplification. 文件：35.2 Kbytes 页数：3 Pages	HSMC 华昕	HSMC
IL1815	文件：188.13 Kbytes Page：8 Pages	AMPLIFIER IC FOR SENSORS WITH DIFFERENT CONDUCTANCE 文件：188.13 Kbytes 页数：8 Pages	INTEGRAL Integral Corp.	INTEGRAL
IL1815D	文件：188.13 Kbytes Page：8 Pages	AMPLIFIER IC FOR SENSORS WITH DIFFERENT CONDUCTANCE 文件：188.13 Kbytes 页数：8 Pages	INTEGRAL Integral Corp.	INTEGRAL

技术参数

Type：
NPN
BVCEO(V)：
50
IC(A)：
0.15
PD(W)：
0.225
hFEMin.：
120
hFEMax.：
700
VCE(sat)Max.(V)：
0.25
RoHS(Note1)：
PF
Status(Note2)：
M

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HMBT1815供应商更新时间2026-1-20 13:30:00

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