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IRFF9210	文件：16.67 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9210	文件：134.06 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9210	文件：172.29 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=3.0ohm,Id=-1.9A) DESCRIPTION TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheD-	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9210	文件：1.5825 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDPAK	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9210	文件：4.45842 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFET designachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDP	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9210	文件：4.09862 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFET designachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDP	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9210	文件：4.09862 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFET designachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDP	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9210	文件：4.46201 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFET designachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDP	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9210	文件：888.74 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR9210,SiHFR9210) •Straightlead(IRFU9210,SiHFU9210) •Availableintapeandreel •P-channel •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9210	文件：345.28 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=-1.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3Ω(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市福田区绿盛电子商行	HM9216	HM	36118	SOT23-5	2015	专业代理DC-DC降压IC,型号齐全,公司优势产品	询价
深圳市创新迹电子有限公司	HM9216-1.2	HM	23+	SOT23-5	6000	专注配单,只做原装进口现货	询价
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深圳市星佑电子有限公司	HM9220		05+	原厂原装	4601	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市勤思达科技有限公司	HM9220	HMC	10+	DIP-8	7800	全新原装正品,现货销售	询价
深圳市一线半导体有限公司	HM9220	HM	24+	DIP-8	27000		询价
深圳市莱克讯科技有限公司	HM9220A	HMC	1922+	DIP	8200	莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	HM9220A	HOLTEK/合泰	23+	DIP	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HM9220A	HM	23+	DIP	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市威雅利发展有限公司	HM9220A	HOLTEK	9645+	DIP	10	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价

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