IRFR9210中文资料KERSEMI数据手册PDF规格书

厂商型号	IRFR9210
功能描述	Power MOSFET
文件大小	4.09862 Mbytes
页面数量	7 页
生产厂商	KERSEMI
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更新时间	2025-11-15 9:56:00
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IRFR9210规格书详情

DESCRIPTION

The Power MOSFETs technology is the key to Vishay’s advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the Power MOSFET

design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surface mount applications.

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Surface Mount (IRFR9210/SiHFR9210)

• Straight Lead (IRFU9210/SiHFU9210)

• Available in Tape and Reel

• P-Channel

• Fast Switching

• Lead (Pb)-free Available

产品属性

型号：
IRFR9210
功能描述：
MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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